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    TH530-25200B 半導體器件雪崩能量測試儀

    性能特點

     單通道和雙通道 N/P或組合器件測試   (MOSFET、IGBT以及二極管) 

     可測試高達2500V雪崩電壓、200A峰值電流等級設備 

     支持單脈沖雪崩測試(EAS)、重復雪崩能量測試(EAR)、 重復脈沖至失效測試(RPF) 

     高速校準DAC可提升測試精度 

     用戶可調節的電源電壓(10V至150V)穩定可靠 

     漏極、源極接觸檢查電路可檢測20Ω以下的接觸電阻,提 供報錯提示(LED) 

     可設柵極驅動電壓(最大電壓差:30V,最大電壓值:28V)適 應不同被測件所需 

     可在雪崩前、雪崩后進行可調值的泄漏測試、以確定被測 件當前狀態 

     高速固態開關、帶故障檢測功能 

     高精度的電流和電壓波形捕捉以及雪崩持續時間捕捉 

      7寸24位色TF LCD電容式觸摸屏,中英文可選操作界面, 用于單機操作、輸入測試規格以及提供測試數據顯示。 

     提供指令用于用戶將屏幕信息存儲于U盤 

     儀器有開機自檢和在線自檢功能、為用戶排查儀器內部故 障問題 

     配備簡單自動校準程序,用戶可現場進行校準 

     配備多種接口:用于遠程測試控制的GPIB接口、前后面板各配備一個的高速串行接口、支持高速傳輸數據的LAN 口。 LAN口不僅可用于遠程測試控制,在用戶需要觀測即時 測試波形時,可使用 LAN口搭配上位機程序查看每一一次 的波形數據

     可與TH530-01 可編程電感負載箱(0.01 至159.9mH)或外部電感器配合使用 

     可外接示波器觸發器輸出,同步可視化雪崩測試過程,用 于準確測量雪崩時間

    型號

    TH530-25100A

    TH530-25100B

    TH530-25200A

    TH530-25200B

    雪崩電壓

    2500V




    峰值電流

    100A


    200A


    通道數

    1

    2

    1

    2


    ? 功率半導體的研發與制造

    評估半導體器件的雪崩耐量,確保其能承受電路中感性負載關斷時產生的高壓尖峰,保證出廠質量的可靠性。例如:IGBT 、MOSFET、功率二極管。

    ?  電源設備設計與驗證

    驗證設備在輸出短路等異常情況下,功率器件是否能承受因初級電感和大電流引起的雪崩能量而不損壞。例如:開關電源、逆變器等設備的功率器件。

    ?  新能源汽車與工業驅動

    確保器件能應對電機啟動、堵轉等特殊工況下感性負載產生沖擊電流和電壓尖峰,確保系統安全。例如:電機控制器(如變頻器、伺服驅動器)中功率開關器件。

    型號

    TH530-25100A

    TH530-25100B

    TH530-25200A

    TH530-25200B

    雪崩電壓

    2500V

    峰值電流

    100A

    200A

    通道數

    1

    2

    1

    2

    輸出能量限制

    1mJ0.00495*VDD2mJ

     

    負載電感范圍

    0.01mH159.9mH,其中

    0.01mH10.0mH,步長為0.01mH

    0.02mH159.9mH,步長為0.1mH

    電流傳感器類型

    霍爾傳感器

    峰值電流范圍

    0.1-200A,步進為0.1A

    漏極電壓范圍

    ±10-150VNP溝道),步進0.1V

    額定電壓范圍

    10-2500V,步進為1V

    柵極導通電壓范圍

    ±2-28VNP溝道),步進為0.1V

    柵極關斷電壓范圍

    0至(28V-柵極導通電壓),步進為0.1V

    泄漏測試(雪崩前、雪崩后)

    2至(設定漏極電壓-2V

     

    柵極條件

    柵極驅動電阻:25Ω

    柵極電壓精度:(-28V±0.5V)至(28V±0.5V

    柵極脈沖時間小于1ms

    交流電壓輸入

    105125VAC210250VAC 50/60 Hz可選

    波形捕捉和分析

    波形數據可在液晶屏幕上顯示

    設備類型

    N P溝道MOSFET IGBT、二極管


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    產品名稱:半導體器件雪崩能量測試儀
    產品型號: TH530-25200B
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