■ 單通道和雙通道 N/P或組合器件測試 (MOSFET、IGBT以及二極管)
■ 可測試高達2500V雪崩電壓、200A峰值電流等級設備
■ 支持單脈沖雪崩測試(EAS)、重復雪崩能量測試(EAR)、 重復脈沖至失效測試(RPF)
■ 高速校準DAC可提升測試精度
■ 用戶可調節的電源電壓(10V至150V)穩定可靠
■ 漏極、源極接觸檢查電路可檢測20Ω以下的接觸電阻,提 供報錯提示(LED)
■ 可設柵極驅動電壓(最大電壓差:30V,最大電壓值:28V)適 應不同被測件所需
■ 可在雪崩前、雪崩后進行可調值的泄漏測試、以確定被測 件當前狀態
■ 高速固態開關、帶故障檢測功能
■ 高精度的電流和電壓波形捕捉以及雪崩持續時間捕捉
■ 7寸24位色TF LCD電容式觸摸屏,中英文可選操作界面, 用于單機操作、輸入測試規格以及提供測試數據顯示。
■ 提供指令用于用戶將屏幕信息存儲于U盤
■ 儀器有開機自檢和在線自檢功能、為用戶排查儀器內部故 障問題
■ 配備簡單自動校準程序,用戶可現場進行校準
■ 配備多種接口:用于遠程測試控制的GPIB接口、前后面板各配備一個的高速串行接口、支持高速傳輸數據的LAN 口。 LAN口不僅可用于遠程測試控制,在用戶需要觀測即時 測試波形時,可使用 LAN口搭配上位機程序查看每一一次 的波形數據
■ 可與TH530-01 可編程電感負載箱(0.01 至159.9mH)或外部電感器配合使用
■ 可外接示波器觸發器輸出,同步可視化雪崩測試過程,用 于準確測量雪崩時間
型號 | TH530-25100A | TH530-25100B | TH530-25200A | TH530-25200B |
雪崩電壓 | 2500V | |||
峰值電流 | 100A | 200A | ||
通道數 | 1 | 2 | 1 | 2 |
? 功率半導體的研發與制造
評估半導體器件的雪崩耐量,確保其能承受電路中感性負載關斷時產生的高壓尖峰,保證出廠質量的可靠性。例如:IGBT 、MOSFET、功率二極管。
? 電源設備設計與驗證
驗證設備在輸出短路等異常情況下,功率器件是否能承受因初級電感和大電流引起的雪崩能量而不損壞。例如:開關電源、逆變器等設備的功率器件。
? 新能源汽車與工業驅動
確保器件能應對電機啟動、堵轉等特殊工況下感性負載產生沖擊電流和電壓尖峰,確保系統安全。例如:電機控制器(如變頻器、伺服驅動器)中功率開關器件。
型號 | TH530-25100A | TH530-25100B | TH530-25200A | TH530-25200B |
雪崩電壓 | 2500V | |||
峰值電流 | 100A | 200A | ||
通道數 | 1 | 2 | 1 | 2 |
輸出能量限制 | 1mJ至0.00495*VDD2mJ | |||
負載電感范圍 | 0.01mH至159.9mH,其中 0.01mH至10.0mH,步長為0.01mH 0.02mH至159.9mH,步長為0.1mH | |||
電流傳感器類型 | 霍爾傳感器 | |||
峰值電流范圍 | 0.1-200A,步進為0.1A | |||
漏極電壓范圍 | ±(10-150)V(N或P溝道),步進0.1V | |||
額定電壓范圍 | 10-2500V,步進為1V | |||
柵極導通電壓范圍 | ±(2-28)V(N或P溝道),步進為0.1V | |||
柵極關斷電壓范圍 | 0至(28V-柵極導通電壓),步進為0.1V | |||
泄漏測試(雪崩前、雪崩后) | 2至(設定漏極電壓-2)V | |||
柵極條件 | 柵極驅動電阻:25Ω 柵極電壓精度:(-28V±0.5V)至(28V±0.5V) 柵極脈沖時間小于1ms | |||
交流電壓輸入 | 105至125VAC和210至250VAC 50/60 Hz可選 | |||
波形捕捉和分析 | 波形數據可在液晶屏幕上顯示 | |||
設備類型 | N 、P溝道MOSFET 、IGBT、二極管 | |||